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16納米方案 Cadence DDR4物理層IP發(fā)布

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月21日 今年三季度的Haswell-E/EP將成為首個支持DDR4內(nèi)存的平臺，美光、三星、SK Hynix的DDR4內(nèi)存也在進行中。目前DDR4的運行速率并不算多高，初代產(chǎn)品多數(shù)都是DDR4-2133規(guī)格的，甚至不及高頻DDR3內(nèi)存。Cadence公司日前宣布他們已經(jīng)使用TSMC的16nm FinFET工藝生產(chǎn)了新DDR40內(nèi)存物理層IP，速度可達3200Mbps。

    JEDEC的標準中規(guī)定的DDR4內(nèi)存頻率是16000-3200Mbps，目前美光等公司生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存頻率普遍都是DDR4-2133標準的，更高速的內(nèi)存還在開發(fā)中。Cadence公司雖然不是內(nèi)存廠商，不過他們的內(nèi)存物理層IP可為其他SoC廠商的高速DDR4內(nèi)存奠定了基礎(chǔ)。此前他們使用TSMC的28nm工藝推出了首款DDR4-2400物理層及控制器，現(xiàn)在則在TSMC的16nm FinFET工藝幫助下實現(xiàn)了DDR4-3200內(nèi)存物理層的開發(fā)。

Cadence公司的DDR4-3200物理層IP的優(yōu)勢

    據(jù)Cadence公司所說，其他公司不需要重新設(shè)計DDR4物理層接口，即便原來的最高速率只有DD4-2400，Cadence公司的物理層IP也可以通過提升額外的魯棒性、改善系統(tǒng)余量實現(xiàn)DDR4-3200Mbps運行。此外，最新的DDR4-3200物理層IP還向下兼容早期的DDR3及低速率DDR4內(nèi)存規(guī)范?！?/P>