SK Hynix今年量產(chǎn)36層堆棧的3D NAND
四大NAND豪門中，三星在2014年制霸全球SSD市場，Intel、閃迪、美光、東芝也位列前五，唯獨(dú)SK Hynix位列第十，SSD營收比希捷、西數(shù)還低。不僅是閃存，就連內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，SK Hynix也被三星遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在了后面，現(xiàn)在SK Hynix準(zhǔn)備奮發(fā)圖強(qiáng)，今年量產(chǎn)36層堆棧的3D NAND閃存，還有16nm工藝的TLC閃存，DRAM內(nèi)存也加速推進(jìn)后10nm工藝。
別人雖然有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，但SK Hynix有秘密武器（大火）
三星這兩年獲得更高的NAND及DRAM份額主要是靠技術(shù)推動，他們?nèi)ツ昃吐氏攘慨a(chǎn)了V-NAND技術(shù)的3D閃存，三星之外的其他公司要到今年才開始生產(chǎn)。SK Hynix表示他們?nèi)ツ瓿晒﹂_發(fā)了24層堆棧的3D閃存，今年也準(zhǔn)備大規(guī)模量產(chǎn)3D閃存了，首次量產(chǎn)的則是36層堆棧的3D閃存，今年底還會準(zhǔn)備48層堆棧的3D閃存量產(chǎn)工作。
三星量產(chǎn)的V-NAND閃存是32層堆棧的，不過今年下半年也準(zhǔn)備量產(chǎn)48層堆棧的，Intel/美光系公布的3D NAND閃存也是32層堆棧的，更多堆棧的也在研究之中了。東芝、閃迪也在日本四日市新建Fab 2工廠，預(yù)計(jì)2016年才會大規(guī)模量產(chǎn)3D閃存。
除了3D閃存，SK Hynix也會繼續(xù)加強(qiáng)傳統(tǒng)的平面閃存，很快會推出16nm TLC閃存，并在Q2季度將TLC閃存產(chǎn)能提升到10%的比例，今年底達(dá)到40%的比例。此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC閃存的SSD，并會把TLC SSD的比例提升到20-30%。
內(nèi)存方面，三星的20nm工藝已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)了，SK Hynix還需要不斷提升產(chǎn)品。位于韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進(jìn)入最終階段，半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)備貨了，預(yù)計(jì)從年底開始運(yùn)營。一旦開始正式生產(chǎn)，其產(chǎn)能將達(dá)到每月1.5萬片晶圓。
不過SK Hynix在技術(shù)上還有點(diǎn)落后，他們預(yù)計(jì)要到明年6月份才能提供后10nm工藝的DRAM樣品，而三星已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)后10nm工藝DRAM內(nèi)存了?！?/p>
關(guān)注我們
