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Fury X產(chǎn)能有望提升：聯(lián)華電子TSV量產(chǎn)

    AMD新一代旗艦顯卡Radeon R9 Fury X上市也有一段時(shí)間了，不過(guò)新工藝的產(chǎn)能往往會(huì)低一些，這款顯卡供貨不多，往后的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過(guò)現(xiàn)在他們迎來(lái)了好消息，聯(lián)華電子宣布，他們的TSV穿透硅通孔技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，將可幫助AMD度過(guò)產(chǎn)能的難關(guān)。

    TSV穿透硅通孔技術(shù)（或者叫硅穿孔技術(shù)）主要應(yīng)用于HBM堆棧式顯存與中介層連接，讓各個(gè)Die可以穿過(guò)下層的其它Die，之后再通過(guò)μBump微凸塊直通中介層；除此之外，中介層也是采用同樣的技術(shù)來(lái)連接顯存與CPU/GPU。

    從公告來(lái)看，聯(lián)華電子所負(fù)責(zé)的就是后面說(shuō)的這種中介層的量產(chǎn)工作，具體是其位于新加坡的12英寸特殊技術(shù)晶圓廠Fab 12i。

    不過(guò)中介層產(chǎn)能提上來(lái)了，接下來(lái)AMD還需要解決HBM堆棧式顯存的產(chǎn)能，這樣大家想買R9 nano的時(shí)候才不會(huì)對(duì)著“無(wú)貨”兩個(gè)字干等了?！?/p>