Fury X產(chǎn)能有望提升：聯(lián)華電子TSV量產(chǎn)
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AMD新一代旗艦顯卡Radeon R9 Fury X上市也有一段時間了，不過新工藝的產(chǎn)能往往會低一些，這款顯卡供貨不多，往后的R9 Fury以及R9 nano也將受到影響。不過現(xiàn)在他們迎來了好消息，聯(lián)華電子宣布，他們的TSV穿透硅通孔技術(shù)已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，將可幫助AMD度過產(chǎn)能的難關(guān)。
TSV穿透硅通孔技術(shù)（或者叫硅穿孔技術(shù)）主要應用于HBM堆棧式顯存與中介層連接，讓各個Die可以穿過下層的其它Die，之后再通過μBump微凸塊直通中介層；除此之外，中介層也是采用同樣的技術(shù)來連接顯存與CPU/GPU。
從公告來看，聯(lián)華電子所負責的就是后面說的這種中介層的量產(chǎn)工作，具體是其位于新加坡的12英寸特殊技術(shù)晶圓廠Fab 12i。
不過中介層產(chǎn)能提上來了，接下來AMD還需要解決HBM堆棧式顯存的產(chǎn)能，這樣大家想買R9 nano的時候才不會對著“無貨”兩個字干等了?！?/p>
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