三星發(fā)飆：28nmFD-SOI投片 功耗暴降一半
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前兩天，快科技曾報道，華人科學家胡正明教授剛剛被美國總統(tǒng)奧巴馬授予2015年全美最高技術獎。
作為半導體業(yè)界的翹楚，他在采訪中談到，在25nm看到盡頭時美國政府曾向業(yè)界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我們很熟悉，后者的中文名稱是“全耗盡絕緣硅”。
從技術上比較簡單的區(qū)分就是，F(xiàn)inFET是立體型晶體管，而FD-SOI仍是平面型。
雖然1Xnm已經(jīng)進入消費領域，但是20nm遠沒有要到退出市場的地步，還有大量的產(chǎn)品需求。
據(jù)外媒報道，三星LSI業(yè)務總監(jiān)Kelvin Low稱，他們和意法半導體合研的28nm FD-SOI已經(jīng)開始投產(chǎn)，法國半導體公司Soitec SA提供SOI基底材料。
FD-SOI最大的亮點在于超低功耗，尤其是對比HKMG（后閘極，約50%+），如今物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、汽車等嵌入開發(fā)對芯片的這一特性非常敏感，ST、飛思卡爾等都明確表態(tài)支持且等待排片。
當然，值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries，他們在7月份全球首發(fā)了22nm FD-SOI，電壓做到了業(yè)界最低的0.4V，領先三星一年。
GF現(xiàn)在境遇不佳，屢屢被傳出收購，如果明年22nm FD-SOI供貨不理想，三星很有可能直接發(fā)怒當“接盤俠”?！?/p>
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