三星美光預(yù)計明年量產(chǎn)1x nm 內(nèi)存芯片
隨著美光前不久把臺灣南亞科技納入囊中，DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大廠商的主力制程工藝才剛進入20nm，但是20nm工藝看樣子也只是過渡了，因為三星、SK Hynix明年就要量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM顆粒，三星最早是明年Q1季度，美光雖然進度最慢，但也表態(tài)爭取在明年量產(chǎn)1x nm工藝。
來自韓國ETNEWS的報道稱，三星、SK Hynix及美光這三家廠商都在致力于明年量產(chǎn)1x nm工藝的DRAM芯片，其中三星的進度最快，他們?nèi)ツ?月份才量產(chǎn)了20nm工藝，但現(xiàn)在正在修改工藝，已經(jīng)完成了1x nm工藝的的量產(chǎn)驗證工作，明年Q1季度就要量產(chǎn)新工藝DRAM內(nèi)存。
SK Hynix的進度比三星略慢，2016年他們計劃提升20nm工藝DRAM芯片的產(chǎn)能，但2016年上半年也會完成1x nm工藝的DRAM開發(fā)工作，2016年下半年爭取量產(chǎn)。
在這三家中美光這兩年的表現(xiàn)就比較差了，工藝進度也比韓國兩家公司落后1-2代，不過美光CEO Mark Durcan也表態(tài)稱2016年他們的目標除了提升20nm產(chǎn)能之外，也爭取開始量產(chǎn)1x nm工藝的RAM芯片。
原文說的這個1x nm等同于18nm工藝，但實際上并沒有這么簡單，并不是從數(shù)字20到18這么簡單，如果制程只是改變了2個nm，廠商肯定不會這么大動干戈。在存儲芯片從20+nm進入10+nm工藝之后，廠商對工藝的描述已經(jīng)不再使用具體的數(shù)字了，20nm之后是1x nm工藝，再往后則是1y nm工藝，還有1z nm工藝的說法，至于XYZ具體的含義，由于每家公司的工藝并不一樣，所以缺少詳細的解釋?！?/p>
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