7nm工藝關鍵設備產能提升但離量產還遠
我們都知道半導體工藝越先進越好，用以衡量工藝進步的就是線寬，常說的xxnm工藝就代表這個，這個數(shù)字越小就代表晶體管越小，晶體管密度就越大。現(xiàn)在半導體公司已經進軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來越高，半導體工藝提升需要全新的設備。EUV即紫外光刻機就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工藝的關鍵，現(xiàn)在ASML公司的EUV光刻機正在不斷提高產能和可靠性，但距離量產還有一段距離。
EUV要想獲得突破，需要不斷提升光源強度和可靠性。來自EE Times的報道稱，荷蘭ASML及TSMC臺積電在上周宣布他們的原型機上測試了85W光源，之后很快會提升到125W。ASML之前演示過185W光源的EUV光刻機，并許諾年底前會進一步提高到250W。
現(xiàn)在的EUV光刻機可靠性已經提高到了有70%的工作時間，每天可以處理500-600個晶圓，相比去年的情況已經有很大改善，但這遠遠不夠量產水平。ASML公司EUV項目總監(jiān)Frits van Hout表示現(xiàn)在距離EUV應該達到的水平還有2-3步?，F(xiàn)在出貨的EUV光刻機會升級，預計今年底達到應有的水平。
芯片制造商預計會在2018年使用EUV工藝生產芯片，屆時ASML的EUV光刻機有助于降低7nm工藝的成本。
雖然EUV工藝確實實現(xiàn)了預定目標，但由于產能和可靠性的問題，該項目已經多次延期，到了5nm及3nm節(jié)點，EUV可能還需要一次升級。ASML正為此與相關方討論具體的配置和時間細節(jié)。
值得一提的是，目前在EUV工藝上，TSMC比Intel要積極得多，此前TSMC就表示會在10nm工藝上使用EUV工藝，而Intel表示過就算沒有EUV工藝，他們也懂得如何制造芯片。不過如果EUV工藝真的能如期量產，Intel也會在7nm節(jié)點上啟用EUV工藝?！?/p>
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