三星量產(chǎn)新工藝內(nèi)存顆粒 刺激內(nèi)存下滑
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全球的DRAM內(nèi)存顆粒市場上，三星、SK海力士、美光已經(jīng)呈現(xiàn)三分天下的架勢，其中三星無論工藝、產(chǎn)能還是占有率都有絕對優(yōu)勢。2014年第一個量產(chǎn)20nm DRAM工藝之后，如今三星再次領跑，已經(jīng)量產(chǎn)了18nm DRAM。
據(jù)韓國媒體報道，三星去年已經(jīng)將70％的DRAM產(chǎn)能轉換到20nm，如今又進入了18nm時代，領先優(yōu)勢進一步擴大。
相比之下，SK海力士明年初才會量產(chǎn)18nm DRAM，而美光還停留在前往20nm的路上.
另一方面，隨著半導體技術的日益復雜，工藝進步的空間似乎越來越小。CPU處理器從20nm來到了16/14nm，NAND閃存則從20nm走到了16/15nm，DRAM內(nèi)存僅僅從20nm變到18nm，是不是停滯了？
顯然非也。三星20nn DRAM工藝通過雙重曝光技術、采用蜂窩狀結構，將單元密度提升了多達70％，18nm上則會進一步使用四重曝光技術，每一次電路蝕刻都要進行3-4次曝光，并繼續(xù)改進結構密度，整體效能可提升至少20％。
而在市場方面，隨著新工藝的到來、產(chǎn)能的擴大，以及PC需求的下降、收集需求的增長減緩，內(nèi)存價格將在今年出現(xiàn)大幅度下滑，下半年至少會降20-30％，最多可達40％。三星18nm加入戰(zhàn)局，必然會進一步刺激價格走低?！?/p>
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