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三星發(fā)布30納米DDR4內(nèi)存！能兼容DDR3

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道1月5日 目前三星DDR4內(nèi)存模組已經(jīng)進展到30納米制程級別，頻率上升到2133MHz，電壓1.2v，并且采用三星的POD（pseudo open drain）節(jié)能技術(shù)。借助POD技術(shù)，三星DDR4內(nèi)存所需電流僅為當前DDR3模組的一半。

    三星官方預(yù)計會發(fā)布頻率1600MHz—3200MHz的DDR4模組，兼容當前DDR3，顆粒方面則是4 Gbit規(guī)格版本，面向主流消費市場?！?