25納米閃存固態(tài)硬盤容量縮水問題浮現(xiàn)
制造工藝的更新?lián)Q代可以給閃存帶來性能提升和成本的下降，這在玩家心目中幾乎是公認(rèn)的事實。然而大多數(shù)人可能忽略了事情的另一面，即閃存制造工藝升級帶來的壽命問題。隨著半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，NAND閃存的可靠性會明顯下降，需要付出更多的代價來滿足ECC糾錯需求，并預(yù)留更多存儲單元來用于閃存老化，部分存儲單 元壽命用盡后的屏蔽、替代問題。比如，目前大量在固態(tài)硬盤中使用的34nm MLC NAND閃存的存儲單元實際寫入壽命大概在5000次左右，而25nm閃存則只有3000次。
閃存制造工藝升級
Intel和美光的合資企業(yè)是目前唯一能夠量產(chǎn)25nm工藝NAND閃存的廠商，但這兩家公司的25nm閃存固態(tài)硬盤產(chǎn)品卻還沒有批量上市。倒是在SSD領(lǐng)域動作頻頻的OCZ，已經(jīng)拿出了搭配25nm閃存的SandForce方案Vertex 2系列產(chǎn)品。
據(jù)已經(jīng)購得新版本Vertex 2固態(tài)硬盤的用戶報告，120GB容量的25nm版產(chǎn)品在格式化前的實際容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB。OCZ在官方客服論壇上對此 解釋稱，為了讓SSD達(dá)到合理的預(yù)期使用壽命，他們不得不將預(yù)留閃存空間提高了幾個GB，因此“120GB硬盤未格式化容量僅有115GB是完全正常的”。
閃存固態(tài)硬盤容量縮水問題浮現(xiàn)（圖片均來自驅(qū)動之家）
對于容量虛標(biāo)的質(zhì)疑，OCZ也無奈的表示，固態(tài)硬盤內(nèi)安裝的NAND閃存芯片容量總和確實沒有改變，因此不存在什么縮水、虛標(biāo)的問題。5GB的附加容量開銷是SandForce控制器的RAISE校驗功能決定的，而該功能無法被廠商關(guān)閉，因此他們也沒有辦法改變?！?/P>
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