DDR5顆粒長這樣！影馳DDR5內(nèi)存即將浮出水面
自2020年以來，5G、人工智能、汽車、電競市場居高不下的旺盛需求，加速推動了DDR產(chǎn)品迭代以及技術升級。近段時間，新一代主流存儲標準DDR5的動態(tài)就更新不斷，預示著DDR5時代正加速到來。
在存儲領域深耕多年并擁有廣泛布局的影馳科技，緊跟存儲技術發(fā)展前沿，成為了DDR5存儲這片藍海的開拓者之一。近日，影馳DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已經(jīng)到廠，開始進入工程樣品試產(chǎn)階段。
從照片看，DDR5內(nèi)存顆粒的外觀與DDR4沒有明顯差異，大小一致，只是編碼方式不同，另外芯片針腳設計不同，彼此互不兼容。
針腳的差異意味著DDR5和DDR4在功耗、容量、頻率和ECC等方面有所不同。DDR5 支持 6400Mbps 的傳輸速率，比 DDR4 快 了2 倍，且支持 ECC 糾錯，可以自行更正 1 bit 級錯誤，運行電壓為 1.1V，相比 DDR4 的 1.2V 更節(jié)能。
簡單來說，相比DDR4，DDR5有著更快的速度、更大的容量、更高的穩(wěn)定性以及更低的能耗，可打造單條容量512GB、頻率8400MHz的超高規(guī)格。
更快的速度
內(nèi)存帶寬的提升是DDR5之于DDR4最直接的改變之一。DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4800MHz起跳，比DDR4的標準頻率3200MHz提高了50%之多，未來最高甚至可以達到8400MHz。
更大的容量
容量的大幅提升是DDR5內(nèi)存最顯著的特征。單顆DDR5允許單個存儲芯片達到64Gbit的密度，這比DDR4的最大16Gbit密度提高了4倍，有助于提高單顆閃存的容量，進而提升內(nèi)存的容量。可以預見的是，在DDR5時代，16GB將會成為單條內(nèi)存的普遍起步容量。
更高的穩(wěn)定性
相比上一代標準，由于引入了多種RAS，DDR5在穩(wěn)定性方面也會有更佳的表現(xiàn)。其中，曾經(jīng)只有在服務器市場才有的檢驗與糾正技術——ECC，將會成為DDR5內(nèi)存的標配。
更低的能耗
能耗方面，DDR5的電壓可低至1.1V，相比DDR4的1.2V降低了0.1V，可為玩家提供更多的調(diào)整空間以便充分壓榨內(nèi)存的性能?？紤]到DDR4的實際電壓多為 1.35V，甚至一些超頻版本的內(nèi)存電壓為1.5V，DDR5在降低能耗方面著實有著不小的進步。
從DDR4到DDR5跨越了將近十年，都說10年磨一劍，從參數(shù)對比來看，DDR5這把劍并沒有讓大家失望。目前影馳的DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入了工程樣品試產(chǎn)階段，并將于近期露面，我們期待它的最終到來，與玩家一同開啟全新的DDR5時代。
關注我們
