跟白牌顆粒說拜拜！國產(chǎn)顆粒的崛起之路！
想必大家在購買固態(tài)硬盤時，最為擔心的便是該產(chǎn)品的顆粒質(zhì)量。畢竟現(xiàn)在市面上充斥著一些使用二手顆粒、廢舊顆粒的劣質(zhì)固態(tài)。這類產(chǎn)品雖然價格低廉，但其使用壽命和讀寫速度都無法得到保障，這也是推薦大家購買原廠顆粒固態(tài)的原因。而說起原廠固態(tài)，大家第一反應(yīng)都是三星、鎂光、海力士等國外巨頭。但其實由國內(nèi)生產(chǎn)制造的國產(chǎn)顆粒，在近幾年飛速發(fā)展，已經(jīng)逐漸追趕上與國外的差距了，并且已經(jīng)有成熟的原廠顆粒產(chǎn)品出現(xiàn)。
七彩虹旗下最新款存儲產(chǎn)品戰(zhàn)戟CN600便在主控和顆粒上，都選用了國產(chǎn)品牌：顆粒來自長江，主控來自聯(lián)蕓，最高讀取速度能夠達到3300MB/s，最大寫入速度能夠達到2600MB/s，是目前“戰(zhàn)戟”系列中性能最為強勁的固態(tài)硬盤。
長江顆粒
戰(zhàn)戟CN600所使用的是長江第三代TLC 3D NAND閃存，它采用了創(chuàng)新的Xtacking? 2.0 3D NAND閃存技術(shù)，存儲密度可達8.30Gb/mm2*，單顆芯片容量可達512Gb*。在相同的單位面積和封裝尺寸下，提供兩倍于第二代TLC 3D NAND閃存顆粒的存儲密度。同時得益于長江存儲第三代芯片設(shè)計和工藝的改良與算法的優(yōu)化，第三代與第二代TLC 3D NAND閃存顆粒相比，讀寫性能提升20%*，同時功耗降低25%*，整體性能更加強勁可靠。
聯(lián)蕓主控
戰(zhàn)戟 M.2(NVMe協(xié)議)固態(tài)硬盤所使用的主控具體型號為聯(lián)蕓MAP1202，MAP1202是聯(lián)蕓科技推出的第二代PCIe(NVMe)控制芯片，支持PCIe Gen3x4 NVMe1.4 接口技術(shù)標準，采用ARM R5高性能雙核CPU，內(nèi)嵌聯(lián)蕓自主研發(fā)的第三代Aglie ECC（4K LDPC）糾錯技術(shù)、Agile Zip數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)、硬件RAID5 及E2E 數(shù)據(jù)保護技術(shù)，并搭載聯(lián)蕓科技最新的超低功耗SOC芯片架構(gòu)設(shè)計技術(shù)與NAND接口高性能自適配技術(shù)（最高可達1600MT/s），重新定義PCIe Gen3x4 無DRAM SSD解決方案應(yīng)有表現(xiàn)。
戰(zhàn)戟M.2(NVMe協(xié)議)固態(tài)硬盤從主控到顆粒再到生產(chǎn)，所使用的都是國產(chǎn)技術(shù)。經(jīng)三方深度合作后共同打造。在實際性能表現(xiàn)上也足夠強勁，不遜于同品類下的臺系美系產(chǎn)品，在主打“國創(chuàng)”的前提下，保證了過硬的產(chǎn)品素質(zhì)。后續(xù)七彩虹也將會打造更多主打“國創(chuàng)”的存儲產(chǎn)品，與國內(nèi)芯片廠商攜手共進，為用戶提供更加優(yōu)質(zhì)的存儲產(chǎn)品。
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