三星官宣2025年量產2nm芯片，2027年量產1.4nm
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在最近于加利福尼亞州圣何塞召開的2024三星晶圓代工論壇博覽會上，三星公開了接下來半導體芯片技術發(fā)展計劃，確認將于2025年起實現(xiàn)2nm芯片的量產，并計劃到2027年量產1.4nm工藝。
三星的2nm工藝路線涵蓋了多個技術節(jié)點，首推SF2，隨后將依次推出SF2P、SF2X、SF2A及SF2Z等優(yōu)化版本，每一步都代表了技術的深化和效能的提升。
特別強調的是，三星的第 一代2nm技術SF2預計將于明年完成所有籌備工作，為其商業(yè)化鋪平道路。更先進的SF2Z節(jié)點將于2027年投入市場使用，該技術整合了創(chuàng)新的后端供電網絡(BSPDN)，旨在極大提升能源利用效率。
三星在2nm技術上的突破不僅體現(xiàn)在工藝節(jié)點的推進，更在于其對多橋-通道場效應晶體管(MBCFET)架構的深度優(yōu)化。這種架構通過采用先進的外延技術和集成方案，相較于傳統(tǒng)的FinFET結構，實現(xiàn)了11%至46%的晶體管性能躍升，同時降低了26%的性能波動和大約50%的漏電流。
此外，三星在今年早些時候與Arm達成了戰(zhàn)略協(xié)作，攜手優(yōu)化基于最前沿GAA晶體管技術的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU內核，進一步鞏固了三星在半導體技術競賽中的領先地位。
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