狂奔128GB/s 鎂光提出3D穿孔內(nèi)存架構(gòu)
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道8月26日 隨著多核PCU進(jìn)程的不斷推進(jìn)，內(nèi)存的帶寬也急需提升，在近日舉辦的Hot Chips大會(huì)上，存儲(chǔ)廠商鎂光展示了最新的HMC（Hybrid Memory Cube）內(nèi)存技術(shù)，借助TSV多層穿孔技術(shù)，內(nèi)存帶寬可以提升到128GB/s。
早在DDR4內(nèi)存規(guī)劃前夕，就有兩種提升內(nèi)存容量和速率的方法，而技術(shù)難度相對(duì)較高的TSV穿孔技術(shù)就有望成為服務(wù)器內(nèi)存的一個(gè)優(yōu)選，通過將多層DRAM疊加封裝，然后借助TSV穿孔技術(shù)把所有DRAM連接起來，這樣內(nèi)存的速率可以得到成本的提升，而在單位面積DRAM下，內(nèi)存的容量也得到了相應(yīng)的提升。
多層DRAM的HMC架構(gòu)
采用TSV穿孔多層DRAM封裝的內(nèi)存除了高容量和速率外，還擁有普通單層內(nèi)存不具備的節(jié)能特性，產(chǎn)品功耗有望下降到現(xiàn)有的1/10左右。
TSV穿孔技術(shù)
值得一提的是在一周前舉辦的FMS 2011（Flash Media Summit 2011）大會(huì)上鎂光也曾提出過新型3D NAND閃存架構(gòu)，其原理和TSV穿孔的HMC基本一樣，以實(shí)現(xiàn)容量和速率的翻倍成長(zhǎng)，從而降低SSD的成本?！?/P>
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