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爾必達發(fā)布全球最小4Gb DDR3內(nèi)存顆粒

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道9月24日 日本內(nèi)存廠商爾必達今天宣布開發(fā)出全球最小的4Gb DDR3內(nèi)存顆粒，產(chǎn)品采用了25nm工藝，和30nm工藝芯片相比，功耗降低達30-50%。

    據(jù)悉爾必達最新的25nm 4Gb DDR3內(nèi)存顆粒待機功耗相對30nm產(chǎn)品降低了30-50%，在1.35V或1.5V電壓下可以工作在1866MHz。

    目前爾必達處于量產(chǎn)前的樣品階段，產(chǎn)品預(yù)計將在今年晚些時候就會進入大規(guī)模量產(chǎn)。 ■