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ECC服務(wù)器內(nèi)存2012進(jìn)入DDR3 1866時(shí)代

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道10月29日 兩年多以來(lái)服務(wù)器用ECC內(nèi)存頻率一致停留在DDR3 1333MHz，而消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)內(nèi)存頻率2000MHz以上比比皆是，另外AMD和Intel的新處理器也支持更高的內(nèi)存，這迫使廠商生產(chǎn)更高頻率的產(chǎn)品。

    自2007年DDR3被引入后，DDR3內(nèi)存在2009年才出現(xiàn)在搭配Intel 5500服務(wù)器上，而在2010年中才進(jìn)入AMD 4100和6100服務(wù)器上。而目前這些平臺(tái)使用的內(nèi)存最高頻率也僅僅為1333MHz，嚴(yán)重制約了以高速傳輸帶寬著稱的服務(wù)器的需求。

ECC內(nèi)存

    ECC內(nèi)存主要為服務(wù)器開(kāi)發(fā)，一些工作站主板也搭配ECC內(nèi)存避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，這個(gè)市場(chǎng)在AMD發(fā)布了FX推土機(jī)將最高支持DDR3 1866內(nèi)存，另外在今年晚些時(shí)候Intel將推出的Sandy Bridge-EP將正式支持DDR3 1600內(nèi)存。

    從內(nèi)存廠商處得到的消息，目前三星已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)DDR3-1866 CL13 ECC內(nèi)存，以滿足市場(chǎng)的需求，產(chǎn)品容量包括1GB、2GB、4GB和8GB。

    現(xiàn)代方面也采取了相似的舉措，將推出4GB、2GB DDR3 1866 CL13 ECC內(nèi)存，而8GB版本目前還在評(píng)估當(dāng)中，相信很快就會(huì)量產(chǎn)。

    另一大內(nèi)存顆粒廠商鎂光目前也已經(jīng)提供了DDR3 1866 CL13 ECC內(nèi)存，不過(guò)目前也僅能提供4GB內(nèi)存模組，目前尚不清楚8GB版本何時(shí)才能推出。

    AMD Interlagos和Intel Sandy Bridge-EP都將提供四通道DDR3 1600 ECC內(nèi)存的支持，三星、現(xiàn)代、鎂光目前都已經(jīng)推出了容量為16GB的DDR3 1600 CL11 ECC內(nèi)存，另外鎂光還提供了DDR3 1600 CL10規(guī)格的ECC內(nèi)存，另外現(xiàn)在目前正在對(duì)旗下首款32GB DDR3 1600 CL11 ECC內(nèi)存做評(píng)估，相信上市日期也不會(huì)太遠(yuǎn)。

    在明年基于服務(wù)器版本的Intel的Ivy Bridge和AMD Piledriver都將支持DDR3 1866 ECC內(nèi)存，ECC內(nèi)存市場(chǎng)又將引來(lái)新的繁榮時(shí)期?！?