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IBM展示全球首個(gè)10nm級(jí)碳納米晶體管

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道12月8日 在今天的IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上,IBM的科學(xué)家們展示了一系列突破性的科研成果,將會(huì)大大推動(dòng)更小、更快、更強(qiáng)處理器芯片的研發(fā)。

IBM展示全球首個(gè)10nm級(jí)碳納米晶體管

    IBM表示,五十多年來(lái),計(jì)算機(jī)處理器一直在以驚人的速度提升性能、縮小尺寸,而且如今已經(jīng)完全依賴于CMOS工藝技術(shù),但隨著摩爾定律逐漸接近極限,傳統(tǒng)方法很快就會(huì)走到盡頭,亟須引入新的材料和電路架構(gòu)。不同于以往僅在試驗(yàn)室內(nèi)實(shí)現(xiàn),IBM現(xiàn)在成功將新的材料、新的電路架構(gòu)運(yùn)用到了200毫米晶圓上,有望為計(jì)算、通信、消費(fèi)電子提供全新的技術(shù)根基。

IBM終于做出了集成電路形式的Racetrack存儲(chǔ),這是單獨(dú)的一列

    碳納米管方向,IBM拿出了全球先進(jìn)個(gè)通道長(zhǎng)度(柵極長(zhǎng)度)不足10nm的碳納米晶體管,代表了未來(lái)計(jì)算技術(shù)的重大突破,而且不同于以往已導(dǎo)通狀態(tài)(on-state)衡量性能的做法,IBM第一次在極其先進(jìn)的工藝下提供了出色的關(guān)閉狀態(tài)(off-state)性能,比目前一些理論估算得都要好。

    IBM宣稱,未來(lái)十年將進(jìn)入后10nm時(shí)代,而對(duì)于傳統(tǒng)硅技術(shù)來(lái)說(shuō),想進(jìn)化到如此尺寸會(huì)異常困難,就算能夠做成如此尺寸的硅晶體管,在性能上也難以和碳納米晶體管相提并論。

    石墨烯方面,IBM做成了第一個(gè)兼容CMOS的石墨烯集成電路(倍頻器),頻率最高可達(dá)5GHz,而且能夠在200℃高溫下穩(wěn)定工作。雖然其高溫穩(wěn)定性的細(xì)節(jié)還需要進(jìn)一步評(píng)估,但已經(jīng)為在超高溫、高輻射環(huán)境中使用石墨烯電路打開了方便之門。

Racetrack存儲(chǔ)技術(shù)原理示意圖

    而且科研人員們還使用了新的嵌入式柵極結(jié)構(gòu),使之能在200毫米晶圓上獲得足夠高的良品率。

    融合了磁性機(jī)械硬盤、閃存固態(tài)硬盤特點(diǎn)的“賽道存儲(chǔ)”(Racetrak Memory)再獲新進(jìn)展,首次在40nm工藝200毫米晶圓上實(shí)現(xiàn)了與CMOS技術(shù)的整合,為長(zhǎng)達(dá)七年的漫長(zhǎng)物理性研發(fā)畫上了一個(gè)圓滿的句號(hào),下邊該考慮如何投入實(shí)用了。

    IBM這次展示了在256個(gè)水平磁性水平跑道組成的陣列上如何實(shí)現(xiàn)讀取、寫入功能,接下來(lái)將以此為基礎(chǔ),通過(guò)使用垂直磁性跑道和三維架構(gòu)進(jìn)一步改進(jìn)Racetrack存儲(chǔ)的密度和可靠性,最終有望以不到十億分之一秒的時(shí)間訪問(wèn)海量數(shù)據(jù)?!?/P>

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