最快1600MHz LPDDR3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月20日 JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)近日正式發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，可滿足當(dāng)今和未來移動(dòng)設(shè)備的高性能、高密度內(nèi)存需求，比如智能手機(jī)、平板機(jī)、超輕薄筆記本、迷你聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等等。
LPDDR3內(nèi)存顆粒
相比于現(xiàn)在普遍使用的LPDDR2，LPDDR3帶來了更高的數(shù)據(jù)傳輸率、帶寬、能效、存儲(chǔ)密度，比如數(shù)據(jù)率達(dá)到1600Mbps，比前輩的1066Mbps增加了整整一半。
LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨(dú)立封裝，以滿足不同類型移動(dòng)設(shè)備的需要。LPDDR2的能效特性和信號(hào)界面都也得以延續(xù)。
除此之外，LPDDR3重點(diǎn)加入了三項(xiàng)新技術(shù)：
- Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)馴)：可讓內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號(hào)偏差，確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時(shí)，維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時(shí)序均滿足需求。
- On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT)：可選技術(shù)，為L(zhǎng)PDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個(gè)輕量級(jí)終結(jié)器，改進(jìn)高速信號(hào)傳輸，并盡可能降低對(duì)功耗、系統(tǒng)操作和針腳計(jì)數(shù)的影響。
- 低I/O電容
LPDDR3標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC JC-42.6低功耗內(nèi)存委員會(huì)制定，可以免費(fèi)下載(需注冊(cè))?！?/P>
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