2013年趨勢 新工藝閃存SSD已紛紛出貨
泡泡網(wǎng)固態(tài)硬盤SSD頻道3月21日 閃存制程的進(jìn)步可以提升SSD的性能，所以每一代新工藝的出現(xiàn)都讓人們激動(dòng)，去年主流的NAND閃存工藝是25nm，東芝則為24nm，這一代工藝就是ONFI陣營的20nm以及東芝Toggle DDR陣營的19nm了。
每一次NAND閃存制程的提升，都會讓Die尺寸以及成本得到減小，去年SSD常用的IMFT的25nm工藝，Die大小為167平方毫米，改用IMFT的20nm工藝可進(jìn)一步減少到118平方毫米，面積縮減了30%，芯片產(chǎn)量則可以提高40%，成本大大降低。今年年初Intel就推出了20nm閃存的新品，19nm閃存芯片也已經(jīng)開始量產(chǎn)等新聞，近期有越來越多采用新制程閃存SSD消息傳出。
其實(shí)我們知道新制程早就已經(jīng)出來了，不過相應(yīng)的產(chǎn)品卻很少，年前也只有幾家SSD廠商推出，原因何在？只要就表現(xiàn)在主控與固件方面，這一方面，肯定是有自主開發(fā)能力或者開發(fā)團(tuán)隊(duì)實(shí)力較強(qiáng)的廠商更有優(yōu)勢，畢竟主控可以選擇購買，但是固件直接影響自己產(chǎn)品的兼容性和穩(wěn)定性及性能潛力開發(fā)，SSD廠商固件團(tuán)隊(duì)的實(shí)力直接影響產(chǎn)品的性能，所以雖然有新制程閃存，但是本身產(chǎn)品的推出時(shí)間就必然有先有后。
當(dāng)然，制程的提升帶來了成本的降低，不過有得有失，Nand擁有更加先進(jìn)的制程，因?yàn)槲锢硖匦缘脑颍谕瑯拥目臻g要做出更加多的充放電動(dòng)作，這則會增加讀寫數(shù)據(jù)的延時(shí)。另外密度的上升讓SSD主控的糾錯(cuò)校正能力都受到了新的考驗(yàn)。新制程所帶來的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率比以前高，SSD的主控糾錯(cuò)能力要求就更加高了。最后是壽命方面，我們知道隨著制程提升，閃存壽命是隨之減少的，當(dāng)年34nm的閃存演變到25nm，已經(jīng)由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。如今25nm降至20nm以及19nm將會繼續(xù)下降。
不過閃存制程的提升是必然的趨勢，為我們帶來SSD整體性能的提升以及價(jià)格的下降，目前隨著各家新主控以及固件的推出，新閃存SSD已經(jīng)推出了很多款，今年勢必是這一代產(chǎn)品的天下了，下面我們看看目前各家的新品。
雖然已經(jīng)有多家第三方廠商推出了基于東芝19nm NAND閃存的SSD產(chǎn)品，只是作為世界最大的NAND廠商的東芝自家品牌直到現(xiàn)在才升級19nm NAND。目前東芝新一代THNSNH系列SSD已經(jīng)開始發(fā)售，性能上與前代產(chǎn)品差不多，不過在數(shù)據(jù)保護(hù)及其他方面有所改進(jìn)。
THNSNH系列SSD有2.5寸SATA及mSATA兩個(gè)類別，二者都是SATA 6Gbps接口，前者容量60GB、128GB、256GB以及512GB，mSATA沒有512GB容量，只有60、128以及256GB三個(gè)容量。
性能方面，最大連續(xù)讀取速度都是534MB/s，寫入速度視容量不同有450MB/s、471MB/s以及482MB/s三個(gè)級別，使用的都是東芝自有主控和19nm MLC NAND閃存，支持TRIM。
此外，2.5寸的SSD厚度有7mm和9.5mm兩種。
新出的THNSNH系列SSD除了升級NAND閃存之外還增強(qiáng)了數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)，包括QSBC（quadruple swing-by code）以及強(qiáng)大高效的錯(cuò)誤糾正等。
現(xiàn)在THNSNH系列SSD首先在歐洲地區(qū)開售，其他地區(qū)很快也會上市。
金士頓在去年年底發(fā)布了全新的SSDNow V300系列固態(tài)硬盤，繼續(xù)采用LSI SandFace SF-2281主控，但閃存更新為東芝19納米Toggle 2.0，接口為SATA6Gbps，7mm厚度設(shè)計(jì)，容量包含60GB、120GB和240GB三款。
性能指標(biāo)方面，三款產(chǎn)品的最高順序讀寫速度可以達(dá)到450MB/s，而最大隨機(jī)4k讀取/寫入方面，60GB分別為85K和60K IOPS、120GB分別為85K和55K IOPS，而240GB則分別為85K和43K IOPS。
金士頓SSDNow V300固態(tài)硬盤
金士頓還提供了性能參考，60GB的PCMark Vantage HDD Suite得到了39000分，而120GB和240GB版本則分別得到了49000和57000分。耐久性方面，金士頓給出的60GB總寫入數(shù)據(jù)量為32TB，而120GB和240GB則分別為64TB和128TB。
SSDNow系列固態(tài)硬盤是金士頓SSD的主流型號，V300的推出將有望取代當(dāng)前的V200或V+200系列。而從其性能指標(biāo)來看并不十分出眾，可能是在固件層面做了限制，以和定位高端的HyperX SSD系列產(chǎn)品區(qū)別開來，而后者將有望在明年迎來新的升級。
OCZ的Vertex 4系列固態(tài)硬盤已經(jīng)發(fā)布了好長一段時(shí)間，只是其前輩Vertex 3仍然遲遲不愿離開市場。日前OCZ宣布，Vertex 3系列SSD將換裝20nm工藝NAND閃存，更名為Vertex 3.20并繼續(xù)銷售。
據(jù)OCZ提供的資料顯示，Vertex 3.20系列固態(tài)硬盤仍然采用SATA 6Gbps接口設(shè)計(jì)，仍然使用目前主流的SandForce SF-2281主控，厚度仍然維持9mm不變，唯一改變的就是更換為20nm MLC NAND閃存。至于閃存顆粒由哪一家廠商提供，按照目前來看很有可能是IMFT，至于是采購成品還是自行封裝就不得而知了。
換用20nm工藝閃存的Vertex 3.20在性能上相比Vertex 3變化不大，前者的最高連續(xù)寫入/讀取速度分別為550MB/s和520MB/s，120GB版本的Vertex 3.20在連續(xù)寫入上要比同容量的Vertex 3高一點(diǎn)。而4K隨機(jī)讀寫的性能則根據(jù)SSD容量的不同有所區(qū)別，其中120GB版的4K隨機(jī)讀取和4K隨機(jī)寫入速率平均為20000 IOPS和40000 IOPS，240GB版則為35000 IOPS和65000 IOPS。
另外由于20nm工藝閃存顆粒的功耗更低，因此Vertex 3.20的活動(dòng)功耗與待機(jī)功耗都要低于Vertex 3。按照OCZ給出的數(shù)據(jù)，Vertex 3的活動(dòng)功耗以及待機(jī)功耗分別為3W和1.65W，而Vertex 3.20只有2.15W和0.55W。
目前Vertex 3.20固態(tài)硬盤已經(jīng)開始出貨，有120GB以及240GB兩個(gè)版本，未來還會加入480GB版本，統(tǒng)一享受3年質(zhì)保服務(wù)，不過具體的產(chǎn)品售價(jià)暫未確定，預(yù)計(jì)和同容量的Vertex 3維持同一水平。
年后Intel迅速填補(bǔ)上新的SSD 335 180GB版本，產(chǎn)品繼續(xù)采用了SandForce主控，并采用了Intel最新的20nm MLC閃存芯片。
Intel SSD 335 180GB產(chǎn)品繼續(xù)采用了SandForce SF-2281主控，搭配全新的20nm MLC閃存芯片，最大持續(xù)讀寫速度分別為500MB/s和450MB/s，4KB隨機(jī)讀寫分別為42000 IOPS和52000 IOPS。
SSD 335 180GB綜合了性能和容量雙重優(yōu)勢，另外在性價(jià)比方面產(chǎn)品有望低于1美元/GB的水準(zhǔn)，而目前美國新蛋商城給出的價(jià)格剛好是180美元，這個(gè)人民幣為1122元?！?
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