手把手教內(nèi)存超頻 一步步爬上DDR600
測(cè)試標(biāo)題手把手教內(nèi)存超頻 一步步爬上DDR600
2006年03月29日 00:00作者：張超偉編輯：張超偉
● 如何選購(gòu)內(nèi)存：“顆粒”論！用料、做工不能忽略的因素 內(nèi)存對(duì)于最終得分的影響主要取決于工作頻率以及SPD設(shè)置。由于，我們本次測(cè)試中的內(nèi)存均是工作在默認(rèn)頻率下，所以對(duì)得分有影響的只有內(nèi)存的SPD信息設(shè)置。選購(gòu)技巧：
一、 DDR內(nèi)存選購(gòu)技巧
1、顆粒介紹
這兩三年來(lái)，內(nèi)存條的品牌漸漸多了起來(lái)，不過(guò)能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的還是那么幾家半導(dǎo)體大廠。三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等等。而某些顆粒廠商通常只用在顯存上，比如EliteMT，就不多介紹了。應(yīng)該說(shuō)這些內(nèi)存顆粒廠商都具有相當(dāng)實(shí)力，不過(guò)最具有實(shí)力還屬三星、現(xiàn)代以及美光。
● 現(xiàn)代D43顆粒
有些內(nèi)存顆粒上出現(xiàn)不是這些顆粒廠商的LOGO，比如Kingston的部分顆粒、GeIL、KINGMAX等等，這些都是內(nèi)存制造廠商自己打磨的，這個(gè)屬于正常的打磨范圍。而某些JS就通過(guò)打磨各種各樣的LOGO來(lái)冒充正規(guī)產(chǎn)品，以次充好或者以低檔充高檔等等，這個(gè)就是俗稱的“打磨條”。打磨條“涉及”的范圍非常之廣，一向假貨極少的金邦內(nèi)存都不能幸免，因此購(gòu)買內(nèi)存務(wù)必到正規(guī)代理商處購(gòu)買。
現(xiàn)代應(yīng)該是大家都非常熟悉的內(nèi)存顆粒品牌了，從SD時(shí)代到DDR時(shí)代，現(xiàn)代內(nèi)存顆粒在國(guó)內(nèi)的占有量絕對(duì)是首屈一指的。目前大家在市場(chǎng)中常見(jiàn)的現(xiàn)代內(nèi)存規(guī)格主要分DDR400和DDR500兩種規(guī)格。
在很多玩家心目中，HY D43芯片顆粒有著兼容性好、超頻性出色的特點(diǎn)，而采用HY D43芯片的產(chǎn)品更是被眾多玩家所追捧，有部分玩家還專門對(duì)HY D43芯片進(jìn)行研究，例如HY D43 DT芯片的超頻能力就比HY D43 BT突出。一直采用各種芯片作為
內(nèi)存的Kingston在近期就推出部分采用HY D43芯片的產(chǎn)品
現(xiàn)代的D43顆粒應(yīng)該是目前市場(chǎng)上非常流行，同時(shí)也是大家公認(rèn)性價(jià)比非常好的
內(nèi)存顆粒。除了能在
現(xiàn)代自有品牌上看到這種
內(nèi)存顆粒外，包括其他比較知名的
內(nèi)存廠商也都曾經(jīng)采用過(guò)它。如果我們將它細(xì)分的話，D43
內(nèi)存顆粒又根據(jù)生產(chǎn)批次的不同，在編號(hào)上分為AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最為常見(jiàn)，口碑也是最好。
三星（SAMSUNG）不愧為DDR時(shí)代的終結(jié)者，在512MB容量有TCCD和TCC5稱雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。
UCCC顆粒首現(xiàn)于2004年4月，早期專供
服務(wù)器高端ECC
內(nèi)存使用；幾經(jīng)調(diào)整，最終于2005年1月進(jìn)入民用領(lǐng)域。前期產(chǎn)品依舊保持著
服務(wù)器內(nèi)存的特點(diǎn)，只以穩(wěn)定性見(jiàn)長(zhǎng)，超頻性能一般。但
三星為了重奪高頻
內(nèi)存之王的寶座，于今年6月對(duì)UCCC做了進(jìn)一步制程優(yōu)化。兩條1GB組成雙通道，僅用2.8v電壓就實(shí)現(xiàn)了1T DDR600。高頻與海量兼得，穩(wěn)定性較好，這就是DDR時(shí)代的最終王者――
三星UCCC。
三星（SAMSUNG）UCCC顆粒一定要選520周期以后的，只有這些周期生產(chǎn)的才是優(yōu)化顆粒，之前的則“
服務(wù)器”風(fēng)格較重。
TCCD顆粒固然是好，不過(guò)其高昂的價(jià)格也是另人難以接受的。然而大家在過(guò)于關(guān)注TCCD的同時(shí)卻忘記了它的同門師兄—TCCC，TCCC其實(shí)也是一款非常好的
內(nèi)存顆粒，最早我們是在
三星原廠的“金條”中認(rèn)識(shí)它。
TCCC的顆粒品質(zhì)基本上和
現(xiàn)代D43比較相近，DDR400下可以優(yōu)化到2-3-3-5的延時(shí)參數(shù)，部分TCCC顆粒也可以達(dá)到DDR500的水平。不過(guò)TCCC仍然對(duì)
內(nèi)存電壓不感冒，如果你手中的TCCC顆粒
內(nèi)存無(wú)法達(dá)到DDR500下工作，那么你如何狂加電壓也是于事無(wú)補(bǔ)。很可惜，
三星TCCC
內(nèi)存顆粒除了在
三星自有品牌
內(nèi)存上可以看到外，很少在其他品牌
內(nèi)存上出現(xiàn)過(guò)。不過(guò)
三星金條的做工確實(shí)很優(yōu)秀，兼容性也很好，但是價(jià)格方面也比普通
內(nèi)存高了一些。
● 英飛凌（infineon）BT5、CE5和BE5顆粒
來(lái)自德國(guó)的
英飛凌科技前身為西門子半導(dǎo)體公司，在2000正式上市以后同樣受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。
英飛凌非常重視國(guó)內(nèi)的代理渠道，我們?cè)趪?guó)內(nèi)看到的
英飛凌正品
內(nèi)存全部為：香港銳科集團(tuán)有限公司所代理的——星河（Galaxy）系列
內(nèi)存。
英飛凌（infineon）BT5顆粒
目前市場(chǎng)上流行的
英飛凌DDR400顆粒編號(hào)主要有：BT5、CE5和BE5這3種，其中BT5顆粒最早曾經(jīng)在
宇瞻高端的“黑豹”
內(nèi)存上出現(xiàn)過(guò)。CE5和BE5是
英飛凌隨后生產(chǎn)的
內(nèi)存顆粒，超頻性能均在BT5之上。而關(guān)于CE5和BE5究竟誰(shuí)更強(qiáng)的說(shuō)法大家眾說(shuō)紛紜，不過(guò)可以確定的是它們的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序都可以在2-3-2-5下穩(wěn)定工作，一些品質(zhì)好的CE5和BE5顆粒
內(nèi)存還可以工作在更高的DDR500上，性能非常強(qiáng)勁。另外，
英飛凌原廠
內(nèi)存的做工也是同類產(chǎn)品中屬一屬二的。
PCPOP小常識(shí)：有些人看到芯片編號(hào)中有“HYB”字樣，便誤以為是
現(xiàn)代（HYUNHAI）的
內(nèi)存芯片，而
現(xiàn)代內(nèi)存芯片編號(hào)是以“HY”開(kāi)頭的，這也難怪會(huì)有人認(rèn)錯(cuò)，實(shí)際上HYB”是
英飛凌進(jìn)入DDR和DDR-2時(shí)代后進(jìn)行統(tǒng)一編號(hào)所選用的代碼，Infineon（
英飛凌）
內(nèi)存顆粒，有人將Infineon稱為西門子（Siemens），事實(shí)上
英飛凌的前身就是西門子半導(dǎo)體公司，在SDRAM時(shí)代，我們經(jīng)?？吹絊iemens字樣的
內(nèi)存，但如今Infineon早已獨(dú)立，所以不再叫它西門子
內(nèi)存。
● 鎂光MT-5BC和MT-5BG
鎂光（Micron）身為世界第二大
內(nèi)存顆粒制造商，其產(chǎn)品卻在國(guó)內(nèi)極少現(xiàn)身。這是因?yàn)殒V光很少將自己的優(yōu)質(zhì)顆粒賣給其他
內(nèi)存品牌，其優(yōu)品顆粒一直是專供自家DIY品牌Crucial使用。
注意看內(nèi)存參數(shù)
或許是由于國(guó)內(nèi)代理渠道的問(wèn)題，我們?cè)趪?guó)內(nèi)很少能夠看到鎂光品牌的原廠
內(nèi)存，不過(guò)你卻可以在一些知名品牌
內(nèi)存上見(jiàn)到鎂光顆粒。目前市場(chǎng)上主要流通的有MT-5BC和MT-5BG兩個(gè)型號(hào)的DDR400規(guī)格
內(nèi)存顆粒，其中根絕國(guó)內(nèi)大部分的網(wǎng)友反映，MT-5BC的超頻性能還會(huì)更優(yōu)秀一些。
鎂光的MT
內(nèi)存顆粒非常有特點(diǎn)，芯片的兩端分別有個(gè)半圓形的缺角很容易就讓人一眼辨認(rèn)出來(lái)它的來(lái)自
鎂光。與大多數(shù)DDR400
內(nèi)存不同的是，
鎂光MT顆粒可以在DDR400規(guī)格下達(dá)到極低的TRD和TRP延時(shí)，默認(rèn)電壓下可以達(dá)到2.5-2-2-5這樣一個(gè)非常不錯(cuò)參數(shù)。其實(shí)際效能甚至可以和TCCD在DDR400的環(huán)境下的表現(xiàn)相媲美，略微加電壓則可以達(dá)到DDR500的標(biāo)準(zhǔn)甚至更高，如果你在市場(chǎng)中看到了這個(gè)系列的
內(nèi)存可千萬(wàn)不要放過(guò)！
● 華邦新BH5顆粒
提起華邦BH5
內(nèi)存顆粒的大名，我相信無(wú)人不知無(wú)人不曉。這款
內(nèi)存顆粒的最大特點(diǎn)就是耐高電壓。在3V甚至更高以上的電壓下，它的超頻幅度是十分驚人的，因此也有很多人戲稱它為DFI專用
內(nèi)存。
Winbond華邦 （W942598BH-5）5納秒顆
BH5顆粒真可謂是來(lái)也匆匆去也匆匆，剛剛名聲大震后，它也基本在市場(chǎng)上銷聲匿跡了。隨后而來(lái)的TCCD蓋過(guò)了它的鋒芒，成為新一代超頻王者，但世界上卻再也沒(méi)有一款能像BH5那樣性價(jià)比出色的
內(nèi)存了……
在超頻玩家選擇內(nèi)存的時(shí)候，有一些內(nèi)存顆粒的編號(hào)是相當(dāng)重要的。比如三星的TCCD和TCCC、還有現(xiàn)代的BT-D43、還有英飛凌的-5-C等等。這些代表內(nèi)存批次的編號(hào)通常都有不錯(cuò)的超頻能力或者上低延遲能力。其中又以三星的TCCC和TCCD顆粒最為著名，海盜船出品的優(yōu)品內(nèi)存通常都采用這種顆粒，能夠在5-2-2-2時(shí)序下超頻在DDR500以上，在發(fā)燒界中口碑極好。
2、如何看內(nèi)存的用料及做工好壞
我們可以從下面幾個(gè)方面來(lái)判斷內(nèi)存條的好壞：金手指、用料、設(shè)計(jì)、工藝。
金手指部分
金手指：內(nèi)存的金手指通常有兩種制造方法，電鍍和化學(xué)鍍(以下簡(jiǎn)稱：化鍍)?；兊慕鹗种笗?huì)比電鍍的薄20微米左右，不過(guò)肉眼很難看得出來(lái)，電鍍的金手指耐磨度和電氣性能更好。但是鑒別起來(lái)很簡(jiǎn)單，電鍍的金手指在末端會(huì)有一個(gè)“小辮子”，這個(gè)是生產(chǎn)工藝造成了，沒(méi)有辦法避免，如圖所示。這兩種工藝成本差價(jià)大概在10元左右，相對(duì)于目前內(nèi)存的價(jià)格，還是比較可觀的。另外，好的金手指通?？雌饋?lái)和黃金差不多，黃顏色很有質(zhì)感；差的金手指看起來(lái)泛白。
用料：要看一根內(nèi)存的用料水準(zhǔn)很簡(jiǎn)單：如果內(nèi)存上面的小貼片元件多，那么這根內(nèi)存用料應(yīng)該說(shuō)不錯(cuò)。用在內(nèi)存上面的小元件主要有兩種，一種上面有數(shù)字的，叫做排阻；一種更小的方塊，叫做電容，通常用作耦合。一般在內(nèi)存顆粒和金手指之間，會(huì)有很多的排阻，而內(nèi)存顆粒周圍則會(huì)有很多電容。用料差的內(nèi)存，在整個(gè)PCB板面上都是“光禿禿”的。
設(shè)計(jì)：內(nèi)存的PCB板通常為四層板或者六層板，尤其對(duì)于DDR內(nèi)存，由于工作頻率較高，采用六層板為佳。
不過(guò)為了控制成本，廠商通常有更加折中的辦法 ：采用四層板，然后使用單面；或者采用六層板，雙面都使用。不過(guò)仍然有很多廠商采用六層板單面設(shè)計(jì)，這樣就不惜工本。
工藝：拿起一根內(nèi)存，看看PCB板的四邊是否有毛邊，是否摸起來(lái)光滑。如果是，那么這根內(nèi)存的PCB板邊還是處理的不錯(cuò)的。
其次，看看內(nèi)存上顆粒、排阻、電容的焊接工藝，如果焊點(diǎn)圓滑飽滿富有光澤，那么這根內(nèi)存所使用的焊錫和焊接機(jī)是比較好的
