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Atom迎來新郎君 Ion與945GSE對(duì)比評(píng)測(cè)

　　內(nèi)存性能如何是衡量芯片組性能的核心要素，特別對(duì)于Intel芯片組而言，由于內(nèi)存控制器設(shè)計(jì)于北橋（AMD設(shè)計(jì)于處理器內(nèi)部），芯片組決定著系統(tǒng)內(nèi)存性能。那么Ion平臺(tái)內(nèi)存性能如何呢？我們還是采用了Sisoftware軟件對(duì)內(nèi)存進(jìn)行全面測(cè)試，測(cè)試項(xiàng)目包括內(nèi)存帶寬、內(nèi)存延遲及內(nèi)存與緩存數(shù)據(jù)交換速率。對(duì)比測(cè)試平臺(tái)為N270搭配945GSE芯片組，并使用單條2GB內(nèi)存（Ion平臺(tái)為1GB×2）。

　　首先測(cè)試帶寬性能。N230搭配Ion平臺(tái)帶寬達(dá)到了2829MB/s及2356MB/s，這同N270搭配945GSE基本接近，但945GSE在整數(shù)與浮點(diǎn)數(shù)兩方面均具有微弱優(yōu)勢(shì)，優(yōu)勢(shì)幅度（945GSE比Ion）分別為：2.9%和6.8%。

　　其次測(cè)試內(nèi)存延遲性能。我們測(cè)得Ion平臺(tái)延遲達(dá)到了262ns，而945GSE延遲僅為190ns。單從數(shù)據(jù)對(duì)比來看，Ion平臺(tái)內(nèi)存延遲較為嚴(yán)重，不過這同內(nèi)存規(guī)格有較大關(guān)系，更關(guān)鍵的數(shù)據(jù)應(yīng)是內(nèi)存與緩存的數(shù)據(jù)交換速率。

　　在內(nèi)存與緩存?zhèn)鬏斔俾蕼y(cè)試項(xiàng)目中，Ion平臺(tái)達(dá)到了4.162GB/s，945GSE平臺(tái)為4.095GB/s，相比Ion平臺(tái)具有微弱優(yōu)勢(shì)，優(yōu)勢(shì)幅度為1.6%。

　　總結(jié)：從內(nèi)存測(cè)試來看，945GSE在帶寬方面具有微弱優(yōu)勢(shì)，在內(nèi)存延遲方面具有較大優(yōu)勢(shì)，而Ion平臺(tái)在內(nèi)存與緩存?zhèn)鬏斔俾手杏形⑷鮾?yōu)勢(shì)，前兩個(gè)項(xiàng)目為指標(biāo)參數(shù)，而后一個(gè)項(xiàng)目為實(shí)際應(yīng)用分值，更有實(shí)際意義。