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不堆料也穩(wěn)定?微星DrMOS供電技術(shù)詳解

    需要幾相供電要從這幾個方面看：

    第一，LGA1156接口CPU的功耗有多大，英特爾公布的功耗是95W，比130W的LGA1366接口的i7低35W，LGA1156接口CPU的最大電流在100A。P55主板的供電設(shè)計提供120A足夠CPU使用，而且已經(jīng)為超頻提供冗余電能。X58的供電設(shè)計要提供150A電流。P55供電比X58要低30A。一般負載下，CPU需要的電流在20-60A，滿負載是100A，空載3A-5A。

    第二，CPU核心供電采用4顆DrMOS，配合4相PWM芯片uP6213，構(gòu)成4相供電，4相DrMOS可以提供120A電流。

    DrMOS的效率高于普通MOSFET，最高效率達93%。主板供電電路實質(zhì)就是直流變壓器，把12V電壓降到CPU需要的1.xxxV。電能轉(zhuǎn)換效率是變壓器的重要性能參數(shù)，效率高就意味著損耗低，節(jié)能。變壓器輸出電壓會隨輸出電流增大而有所降低，降低幅度越小，供電越穩(wěn)定，DrMOS的穩(wěn)定度達到99.8%-99.9%。

    紋波系數(shù)和動態(tài)響應(yīng)時間是CPU供電設(shè)計的重要參數(shù)。紋波系數(shù)是指輸出的直流電壓中交流波動成分，這個系數(shù)越小，輸出的電流越干凈，DrMOS可以達到千分之一。動態(tài)響應(yīng)時間是指CPU負載突然增加，急需大電流供電時，CPU供電電路響應(yīng)的快慢，響應(yīng)時間越短越好，DrMOS的響應(yīng)時間達到100微秒。

    第三、VTT、內(nèi)存、PCH供電采用大功率、低阻抗的優(yōu)質(zhì)MOSFET。

    輸出電流56A的4809作上MOSFET，輸出電流76A的4806作下MOSFET。VTT供電用2顆4806，內(nèi)存和PCH供電用1顆。他們的供電能力也很充足。

    第四、CPU核心供電采用8顆820微法的輸出電容，總?cè)萘?560微法，儲備足夠的電能并以強大的濾波能力和極端的響應(yīng)時間為CPU供電。以保障給CPU提供充足的平穩(wěn)的干凈的直流電流。VTT供電采用4顆820微法的輸出電容，總?cè)萘?280微法。