誰都能玩的轉(zhuǎn)！880G主板BIOS設(shè)置詳解
1、MEMORY-Z 內(nèi)存條SPD信息
這是查看內(nèi)存條SPD信息的，有助于了解內(nèi)存條SPD參數(shù)。這個(gè)選項(xiàng)是二級(jí)菜單，回車進(jìn)入：
2、Advance DRAM Configuration 高級(jí)DRAM 配置
這是二級(jí)菜單，回車進(jìn)入：
2-1、DRAM Timing Mode DRAM時(shí)序模式
這一項(xiàng)是設(shè)置內(nèi)存時(shí)序，設(shè)置項(xiàng)有Auto、DCT0、DCT1、Both，默認(rèn)是Auto。
Auto就是按內(nèi)存條的SPD設(shè)置時(shí)序。DCT0/DCT1/Both是用戶自己設(shè)置時(shí)序置。DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個(gè)通道。
這是DCT0的時(shí)序參數(shù)設(shè)置：
CAS Latency（CL）：列地址選通潛伏時(shí)間，指的是在當(dāng)前行訪問和讀一特定列的時(shí)鐘周期。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存單元是按矩陣排列的，讀寫內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)，首先是根據(jù)矩陣的“行”和“列”地址尋址的。當(dāng)內(nèi)存讀寫請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：預(yù)充電延遲），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS（內(nèi)存行地址選通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址選通 ）開始對(duì)需要的數(shù)據(jù)進(jìn)行尋址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延遲），接著通過CAS（列地址選通）訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大， 是JEDEC規(guī)范中排在第一的參數(shù)，CAS值越低，內(nèi)存讀寫操作越快，但穩(wěn)定性下降，相反數(shù)值越高，讀寫速度降低，穩(wěn)定性越高。參數(shù)范圍3-11。
tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延遲時(shí)間，這是激活行地址選通和開始讀列地址選通之間的時(shí)鐘周期延遲。JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能，如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-10。
tRP（Row precharge Delay）：行地址選通預(yù)充電時(shí)間。這是從一個(gè)行地址轉(zhuǎn)換到下一個(gè)行地址所需的時(shí)鐘周期（比如從一個(gè)Bank轉(zhuǎn)換到下一個(gè)Bank）。預(yù)充電參數(shù)小可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。
但是該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì)，參數(shù)小將獲取最高的性能，但可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作，從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-10。JEDEC規(guī)范中，它是排在第三的參數(shù)。
tRAS(Row active Strobe)：行地址選通。這是預(yù)充電和行數(shù)據(jù)存取之間的預(yù)充電延遲時(shí)間。也就是“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。參數(shù)范圍5-20。JEDEC規(guī)范中，它是排在第四的參數(shù)。
tRTP（READ to Precharge Command Delay）：讀取到預(yù)充電命令延遲，這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間延遲。如果參數(shù)值過小，系統(tǒng)運(yùn)行很快，但不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-15。
tRC（Timing of Row Cycle）：行周期時(shí)間。這是從一個(gè)有效命令到下一個(gè)有效命令（或自動(dòng)刷新命令）的總的周期時(shí)間。一般情況下tRC=tRAS+tRP。參數(shù)值小，系統(tǒng)運(yùn)行很快，但不穩(wěn)定。
tWR（Timing of Write Recovery）：寫恢復(fù)時(shí)間。這是一個(gè)有效的“寫”動(dòng)作和bank預(yù)充電到數(shù)據(jù)能正確寫入之間的時(shí)間。就是說在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWR雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。參數(shù)范圍1-15。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行選通到行選通延遲，也稱為Row to Row delay。這是表示“行單元到行單元的延時(shí)”。該值也表示在同一個(gè)內(nèi)存模組連續(xù)的行選通動(dòng)作或者預(yù)充電行數(shù)據(jù)命令的最小延遲時(shí)間。tRRD值越小延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。如果出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況，需將此值設(shè)定較高的時(shí)鐘參數(shù)。參數(shù)范圍1-7。
tWTR（Write to Read Delay）：寫到讀延時(shí)。這個(gè)參數(shù)表示在同一內(nèi)存Bank區(qū)寫命令和下一個(gè)讀命令之間的延遲時(shí)間。也就是在同一個(gè)單元中，最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。tWTR值偏高，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能，但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍1-15。
tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期時(shí)間，這個(gè)參數(shù)表示自動(dòng)刷新“行”周期時(shí)間，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。參數(shù)范圍30-110。
行刷新是按內(nèi)存插槽進(jìn)行的。所以tRFC參數(shù)有時(shí)又內(nèi)存的DIMM槽細(xì)分為tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。
tRWTTO（Timing of Read to Write）：數(shù)據(jù)從讀到寫轉(zhuǎn)變時(shí)間。這是CAS讀操作命令最后周期到下一個(gè)寫操作命令之間的最小周期時(shí)間。這個(gè)參數(shù)也是越小越好，但太小也會(huì)不穩(wěn)定。
tWRRD（Timing of Write to Read）：寫到讀時(shí)間。這是在不同的內(nèi)存芯片或DIMM槽之間，第一個(gè)虛擬CAS寫突發(fā)操作到跟著的一個(gè)讀突發(fā)操作的最小周期時(shí)間。這個(gè)參數(shù)也是越小越好，但太小也會(huì)不穩(wěn)定。
tWRWR（Timing of Write to write）：寫到寫時(shí)間。這是從第一個(gè)虛擬CAS寫突發(fā)操作的最后一個(gè)周期到跟著的一個(gè)寫突發(fā)操作（這個(gè)改變是終端器允許的）的最小周期時(shí)間。這個(gè)參數(shù)也是越小越好，但太小也會(huì)不穩(wěn)定。
tRDRD（Timing of Read to Read）：讀到讀時(shí)間。這是在不同的內(nèi)存芯片或DIMM槽之間，第一個(gè)虛擬CAS讀突發(fā)操作到跟著的一個(gè)讀突發(fā)操作的最小周期時(shí)間。這個(gè)參數(shù)也是越小越好，但太小也會(huì)不穩(wěn)定。
以上介紹的17個(gè)參數(shù)值在DCT1和Both的參數(shù)設(shè)置中也是相同的。
2-2、DRAM Drive Strength DRAM驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
這里是設(shè)置內(nèi)存驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，有4個(gè)參數(shù)，Auto是BIOS自動(dòng)依據(jù)內(nèi)存SPD設(shè)置。其他是用戶自己設(shè)置，DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個(gè)通道。下面以DCT0為例，看看驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度各項(xiàng)目的設(shè)置。
每個(gè)通道的信號(hào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度有7項(xiàng)：
CKE Drive Strength：時(shí)鐘允許（Clock enable）信號(hào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
CS/ODT Drive Strength：片選/內(nèi)建終端電阻驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
Addr/Cmd Drive Strength：地址/命令驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、1.0x/1.25x/1.5x/2.0x
Clock Drive Strength：時(shí)鐘信號(hào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
Data Drive Strength：數(shù)據(jù)信號(hào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
DQS Drive Strebgth：數(shù)據(jù)請(qǐng)求信號(hào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
設(shè)置值有Auto、0.75/1.0x/1.25x/1.5x
ProcOdt：CPU內(nèi)建終端電阻
設(shè)置值有Auto、240ohms/120ohms/60ohms
2-3、DRAM Advance Control DRAM高級(jí)管理
DRAM高級(jí)管理有4個(gè)參數(shù)，Auto是BIOS自動(dòng)依據(jù)內(nèi)存SPD設(shè)置。其他是用戶自己設(shè)置，DCT0是設(shè)置通道A，DCT1是設(shè)置通道B，Both是設(shè)置2個(gè)通道。下面以DCT0為例，看看高級(jí)管理各項(xiàng)目的設(shè)置。
每個(gè)通道的高級(jí)管理有6項(xiàng)。
DRAM Termination：內(nèi)存芯片的片內(nèi)終端電阻。從DDR2開始內(nèi)存防止信號(hào)干擾的終端電阻放在芯片內(nèi)。DDR3也是這樣。這項(xiàng)是設(shè)置終端電阻的參數(shù)，設(shè)置參數(shù)有Auto、Disabled、75 ohms、150 ohms、50 ohms。默認(rèn)是Auto。
DRAM Drive Weak：減弱DRAM驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。設(shè)置參數(shù)有Auto、Normal、Reduced。Auto是讓BIOS依據(jù)內(nèi)存條自動(dòng)設(shè)置。Normal是默認(rèn)強(qiáng)度，Reduced是減弱驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
DRAM Parity Enable：允許DRAM 奇偶校驗(yàn)。奇偶校驗(yàn)是對(duì)內(nèi)存讀寫是防止數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的一種方法。但允許奇偶校驗(yàn)會(huì)影響內(nèi)存讀寫速度。設(shè)置參數(shù)有Auto、Enabled、Disabled。默認(rèn)設(shè)置是Auto。
DRAM Self Refresh Rate Enable：允許DRAM自刷新速率。DRAM刷新就是充電，通過充電保持?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)。自刷新是關(guān)閉系統(tǒng)時(shí)鐘CKE，DRAM采用自己的內(nèi)部時(shí)鐘確定刷新速率。設(shè)置參數(shù)有Auto、Enabled、Disabled。默認(rèn)設(shè)置是Auto。
DRAM Burst Length 32：DRAM突發(fā)模式的長(zhǎng)度32。突發(fā)模式是系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存讀寫時(shí)一次連續(xù)讀寫。連續(xù)讀寫的長(zhǎng)度有32字節(jié)和64字節(jié)。這項(xiàng)設(shè)置就是選擇32字節(jié)，還是64字節(jié)。設(shè)置參數(shù)有Auto、64字節(jié)、32字節(jié)。默認(rèn)是Auto。Auto就是由系統(tǒng)依據(jù)數(shù)據(jù)分布自動(dòng)采用突發(fā)模式的長(zhǎng)度。
Bank Swizzle Mode：Bank攪和模式。內(nèi)存芯片內(nèi)的存儲(chǔ)單元是按矩陣排列的，每一矩陣組成一個(gè)Bank，芯片內(nèi)的Bank有4 Bank、8 Bank等，一般中文稱之為邏輯Bank。
內(nèi)存芯片組成內(nèi)存條后，也有Bank，一般以64位為一個(gè)Bank。通常一面內(nèi)存的8顆芯片構(gòu)成一個(gè)Bank。雙面就是2個(gè)Bank。CPU和內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換時(shí)以Bank為單位，一次交換64位數(shù)據(jù)，也就是通常說的“帶寬”，雙通道就是128位。這種Bank稱之為物理Bank。CPU訪問內(nèi)存時(shí)先定位物理Bank，然后通過片選（信號(hào)）定位芯片內(nèi)的邏輯Bank。
插在DIMM槽的內(nèi)存條有1個(gè)或2個(gè)片選Bank，訪問命令不管實(shí)際有幾個(gè)片選Bank，都是覆蓋2個(gè)。Bank Swizzle模式就是通過異或（XOR）邏輯運(yùn)算，判定實(shí)際的片選Bank。設(shè)置參數(shù)有Auto、Disabled、Enabled。Auto就是交給BIOS和系統(tǒng)處理。Disabled就是禁止Swizzle模式，Enabled就是允許。Swizzle模式可以提高CPU的性能，但是會(huì)影響顯卡性能。一般還是設(shè)置Auto為好。
2-4、1T/2T Memory Timing 命令周期1T/2T
這個(gè)選項(xiàng)也叫做“命令速度”，就是內(nèi)存控制器開始發(fā)送命令到命令被送到內(nèi)存芯片的延遲。1T當(dāng)然比2T快。但是要依據(jù)內(nèi)存條的性能。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍(lán)屏死機(jī)。一般保持Auto就是依據(jù)SPD設(shè)置。
2-5、DCT Unganged Mode
內(nèi)存通道控制模式。選擇內(nèi)存通道的控制模式，Ganged是一個(gè)雙通道，128位帶寬。Unganged是2個(gè)單通道，64位x2帶寬。設(shè)置選項(xiàng)是Disabled（Ganged）和Enabled（Unganged）。默認(rèn)是Enabled。Unganged模式和Ganged模式比較，Unganged模式比較好。
2-6、Bank Inter leaving
Bank交錯(cuò)存取。內(nèi)存bank 交錯(cuò)存取可以讓系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存的不同bank同時(shí)存取，可以提升內(nèi)存速度及穩(wěn)定性。設(shè)置值有Auto和Disabled，默認(rèn)值是Auto(開啟交錯(cuò)存取)。
2-7、Power Down Enable
設(shè)置為Enabled后，增加Power Down Mode選項(xiàng)，選擇Channel模式和Chip Select模式。
2-8、MemClk Tristate C3/ATLVID
3、FSB/DRAM Ratio 前端總線和內(nèi)存倍率
默認(rèn)設(shè)置是Auto，自動(dòng)識(shí)別內(nèi)存條的SPD，設(shè)置內(nèi)存頻率?；剀嚳梢允謩?dòng)設(shè)置。
倍率設(shè)置有Auto（默認(rèn)）、1:2/1:2.66/1:3.33/1:4。AMD的FSB=200，1:2=DDR3 800，1:2.66=DDR3 1066，1:3.33=DDR3 1333，1:4=DDR3 1600。
如果FSB超頻，就要按FSBx4計(jì)算。這里說的DDR3頻率是數(shù)據(jù)傳輸頻率，不是內(nèi)存時(shí)鐘頻率，如果按時(shí)鐘頻率，應(yīng)該除2。比如DDR3 1600的時(shí)鐘頻率是800MHz。
AMD不支持XMP技術(shù)，因?yàn)閄MP的版權(quán)是Intel的。XMP1600的內(nèi)存用在8系列AMD主板上，只能通過設(shè)置FSB/DRAM倍率設(shè)置到1600，或者FSB超頻。
小知識(shí)：內(nèi)存時(shí)序參數(shù)知識(shí)
1、內(nèi)存芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)單元是矩陣排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址標(biāo)識(shí)一個(gè)內(nèi)存單元。
2、內(nèi)存尋址就是通過行地址和列地址尋找內(nèi)存的一個(gè)存儲(chǔ)單元。系統(tǒng)發(fā)出的地址編碼需要經(jīng)過地址譯碼器譯出行地址和列地址，才可以對(duì)內(nèi)存讀寫。
3、內(nèi)存芯片是易失性存儲(chǔ)器，必須經(jīng)常對(duì)內(nèi)存的每個(gè)存儲(chǔ)單元充電，才可以保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。讀寫前要先對(duì)選定的存儲(chǔ)單元預(yù)充電（Pre charge）。
4、對(duì)內(nèi)存的存儲(chǔ)單元讀寫前要先發(fā)出激活（Active）命令，然后才是讀寫命令。
5、CL-tRCD-tRP-tRAS這4個(gè)參數(shù)是最重要的。內(nèi)存標(biāo)注的也往往是這4個(gè)參數(shù)。
上面是JEDEC的內(nèi)存時(shí)序參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)值。從表中可以看到DDR3-800/1066/1333/1600內(nèi)存規(guī)格中，每種規(guī)格又按時(shí)序參數(shù)分為若干種。比如1333的有7-7-7/8-8-8/9-9-9/10-10-10，1600的有8-8-8/9-9-9/10-10-10/11-11-11。因此購買內(nèi)存時(shí)請(qǐng)注意，不要只看DDR3 1333，或者1600這種速度指標(biāo)。還要看參數(shù)指標(biāo)。比如有些DDR3 1600的內(nèi)存條，其實(shí)就是DDR3 1333的，因?yàn)镈DR3 1333 8-8-8的內(nèi)存條，時(shí)序改為9-9-9，就可以超頻到1600。同樣DDR3 1333的7-7-7，如果參數(shù)設(shè)置為8-8-8速度就可以超頻到1600。所以DDR3 1333和1600沒有明顯的界限。購買1600內(nèi)存，最好看看時(shí)序參數(shù)。
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