英特爾Tremont架構(gòu)變革 將用L3緩存適用于奔騰賽揚
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7月16日消息，據(jù)悉，英特爾Tremont架構(gòu)將用于下代奔騰和賽揚處理器，并將使用L3緩存。這是英特爾首次在超低功耗架構(gòu)中加入L3緩存。
據(jù)了解，英特爾公布了Tremont架構(gòu)處理器的性能監(jiān)視計數(shù)器，其中有一條名為“MEM_LOAD_UOPS_RETIRED_L3_HIT”，代表在三級緩存里命中的微操作的數(shù)量。很顯然，Tremont架構(gòu)將在一級緩存、二級緩存之外加入三級緩存，這對于Intel超低功耗架構(gòu)來說，還是第一次。而三級緩存的加入，有望大大提升低功耗奔騰、賽揚的實際性能，而且如果能用上10nm工藝，則可以將功耗控制在以往的水平，也就是熱設(shè)計功耗6-10W左右。
除此之外，Tremont架構(gòu)的處理器可能會內(nèi)置英特爾第11代核芯顯卡，英特爾還將使用新的總線設(shè)計來設(shè)計它的核心。并將會采用10nm工藝，與L3緩存配合將會一定程度上提高這些入門處理器的性能。
10nm工藝和L3緩存的加入將為奔騰、賽揚處理器注入了活力，這些處理器雖然功耗低，但性能一直在比較尷尬的地位，而現(xiàn)在看來Tremont架構(gòu)的處理器將會有很大性能的提升。
據(jù)了解，英特爾此前曾表示，Tremont架構(gòu)的處理器將會在今年推出，重點改進包括提升單線程性能、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器性能，并降低功耗、延長電池續(xù)航。
本文編輯：楊婷
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