手機(jī)和平板的芯：ARM處理器前身今世
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隨著工藝以及技術(shù)的發(fā)展，ARM也在與時(shí)俱進(jìn)，從ARM926最早采用180nm工藝，而不久后基于Cortex A15的芯片將搭載全新的28nm工藝，晶體管密度提升不知多少倍，另外工藝的演進(jìn)，相應(yīng)的能效也在不斷提高。
目前主流的Cortex A系列ARM規(guī)格
從上圖我們發(fā)現(xiàn)早期的ARM926由于工藝和技術(shù)的顯示，Dhrystone性能只有1.1 DIMPS/MHz，另外收到工藝的限制，早期的ARM926采用了180nm工藝，頻率設(shè)計(jì)最高只有200MHz，嚴(yán)重制約了性能的提升，而目前的Cortex A9最多可集成4個(gè)內(nèi)核，單顆內(nèi)核的Dhrystone性能達(dá)到了2.5 DIMPS/MHz，提升了1倍多，另外Cortex A9普遍采用了65nm或40nm工藝，頻率也得到極大提升，性能優(yōu)化后的雙核Cortex A9頻率可達(dá)2GHz，提升幅度達(dá)10倍。
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)逐漸朝一體化趨勢發(fā)展
相信隨著工藝和技術(shù)的不斷發(fā)展，ARM性能達(dá)到主流PC性能也不是問題。ARM精簡的指令集使得運(yùn)算也更加高效，更具市場競爭力，ARM處理器可以實(shí)現(xiàn)較高性能、較小代碼大小、較低功耗和較小硅面積的良好平衡，使得移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代漸趨成熟?！?/SPAN><
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