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ECC服務(wù)器內(nèi)存2012進入DDR3 1866時代

    從內(nèi)存廠商處得到的消息，目前三星已經(jīng)開始量產(chǎn)DDR3-1866 CL13 ECC內(nèi)存，以滿足市場的需求，產(chǎn)品容量包括1GB、2GB、4GB和8GB。

    現(xiàn)代方面也采取了相似的舉措，將推出4GB、2GB DDR3 1866 CL13 ECC內(nèi)存，而8GB版本目前還在評估當(dāng)中，相信很快就會量產(chǎn)。

    另一大內(nèi)存顆粒廠商鎂光目前也已經(jīng)提供了DDR3 1866 CL13 ECC內(nèi)存，不過目前也僅能提供4GB內(nèi)存模組，目前尚不清楚8GB版本何時才能推出。

    AMD Interlagos和Intel Sandy Bridge-EP都將提供四通道DDR3 1600 ECC內(nèi)存的支持，三星、現(xiàn)代、鎂光目前都已經(jīng)推出了容量為16GB的DDR3 1600 CL11 ECC內(nèi)存，另外鎂光還提供了DDR3 1600 CL10規(guī)格的ECC內(nèi)存，另外現(xiàn)在目前正在對旗下首款32GB DDR3 1600 CL11 ECC內(nèi)存做評估，相信上市日期也不會太遠(yuǎn)。

    在明年基于服務(wù)器版本的Intel的Ivy Bridge和AMD Piledriver都將支持DDR3 1866 ECC內(nèi)存，ECC內(nèi)存市場又將引來新的繁榮時期。■<