三通道+DDR3能普及嗎?內(nèi)存變革進行時
DDR2比DDR有哪些改變
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DDR |
DDR 2 |
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目前最高時鐘頻率（單位MHz） |
533（非標準） |
1066（非標準） |
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數(shù)據(jù)帶寬（GB/s） |
4.26GB/s |
8.5GB/s |
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芯片封裝 |
TSOP Ⅱ |
FBGA等 |
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工作電壓 |
2.5V |
1.8V |
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最高物理Bank |
8 |
4 |
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最高邏輯Bank |
4 |
8 |
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數(shù)據(jù)預取（bit） |
2 |
4 |
通過上面的表格，很明顯，DDR 2的工作電壓比DDR低近30%，功耗也能相應(yīng)下降大約50%了。采用FBGA等CSP方式封裝，減小了模組尺寸，并提高信號完整性，它增加了各模塊之間的空氣流動空間因而提高了熱性能和可靠性。綜合來看，更容易達到最高的頻率。目前廠商等不及動作太慢的JEDEC，自行推出了DDR 1066的產(chǎn)品。這種產(chǎn)品單條即有8.5GB/s的帶寬，相當于雙通道DDR 533。
由于核心頻率和外部頻率的倍進關(guān)系，而我們又是以外部頻率作為衡量內(nèi)存時鐘頻率的標準，因此同頻DDR 2內(nèi)存和DDR內(nèi)存相比，數(shù)據(jù)傳輸率是一樣的，當然，僅僅是頻率上的提升，頂多算個“DDR.改”，談不上“DDR 2”。DDR 2的重大改進之處就在于數(shù)據(jù)預取從DDR的2bit提升為4bit。所謂2bit預取，可以理解為內(nèi)存核心向外部I/O緩沖傳遞一次數(shù)據(jù)，可供外部I/O傳輸兩次的量。而4bit預取，就是內(nèi)存核心向外部I/O緩沖傳遞一次數(shù)據(jù)，可供外部I/O傳輸4次的量。
我們知道，內(nèi)存芯片的頻率也有芯片核心頻率和外部頻率兩種：在DDR時代，這兩個頻率是相同的；但在DDR 2時代，核心頻率就變成了外部頻率的一半。這是為什么呢？因為DDR的2bit預取，核心一次傳輸?shù)臄?shù)據(jù)可供外部I/O緩沖傳輸2次，而數(shù)據(jù)以DDR方式傳輸，數(shù)據(jù)傳輸是CLK時鐘的上下沿觸發(fā)，因此外部時鐘頻率與核心頻率保持一致。而4bit預取就不一樣了，核心一次傳輸數(shù)可供外部I/O緩沖傳輸4次，同樣使DDR方式傳輸，外部頻率也要是核心頻率的兩倍才行。
除了4bit預取，DDR 2還有一些重大改進，例如片上終結(jié)ODT，將DDR時代設(shè)計在主板上的終結(jié)器改為設(shè)計到內(nèi)存條上
這樣一來，問題就出現(xiàn)了。因為外部頻率才是內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸品頻率的基準，我們平時說的內(nèi)存的頻率都是指其外部頻率，除非不以DDR方式工作，否則當預取數(shù)據(jù)超過外部I/O緩沖和MCH芯片一次DDR傳輸量，內(nèi)存芯片核心頻率就必須降低。
因此，盡管是4bit預取，但與同頻率DDR內(nèi)存相比，DDR 2內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬是一樣的。并且，由于核心頻率和外部時鐘頻率的這種倍進關(guān)系，造成一個時鐘周期等待時間更長。也就是俗稱的“DDR 2高延遲”。隨著頻率的提升，這種延遲會變得越來越明顯。
盡管延遲略高，DDR 2和同頻DDR內(nèi)存比較實際應(yīng)用中差別很小一度有傳言說，DDR 2性能不如DDR，這其實是一種誤解。在頻率相同的情況下，DDR 2內(nèi)存確實有部分性能不如DDR內(nèi)存，例如專門的內(nèi)存測試項和部分整數(shù)運算性能，但這種差異很小很小，在游戲里更是幾乎沒有差別。
而隨著頻率的提高，DDR 2高頻高帶寬的優(yōu)勢體現(xiàn)無疑，DDR也就533MHz到頭了。所以，在現(xiàn)有的主流內(nèi)存里，DDR 2內(nèi)存性能更強是肯定的。只不過確實由于Intel強推，讓剛進入成熟期的DDR內(nèi)存提前退出了主流市場，讓很多玩家感到不滿而已。
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